Специалисты японской компании сумели увеличить эффективность преобразования энергии в фотогальваническом элементе до 35,8%. Это значение является рекордом в классе элементов, не использующих концентраторы солнечного излучения.
        Новый фотоэлемент составлен из трех полупроводниковых слоев. Чаще всего нижний слой в подобных конструкциях делают германиевым, поскольку это упрощает производство. В то же время германий не позволяет добиться высокой эффективности, японские инженеры отказались от этого материала, заменив его арсенидом индия-галлия.