Ученые изобрели структуру самого быстрого транзистора

        Новая структура транзистора, изобретенная учеными Иллинойского университета, помогла преодолеть барьер в 600 ГГц, что делает возможным достичь частоту в терагерц для проведения высокоскоростных вычислений и эффективной передачи данных.
        Новое устройство на основе фосфида индия и арсенида индиума галлия имеет композиционный ступенчатый коллектор, базу и эмиттер, которые позволяют уменьшить время перехода и увеличить плотность тока. Ученые с помощью псевдоморфного биполярного транзистора с гетеропереходом продемонстрировали скорость в 604 ГГц — самую быструю операционную скорость на сегодняшний день.

Новости партнеров

Выбор читателей